Выходные устройства управления выпрямительно-инверторными преобразователями

    Дисциплина: Технические
    Тип работы: Контрольная
    Тема: Выходные устройства управления выпрямительно-инверторными преобразователями

    МПС РФ
    Вологодский заочный техникум
    железнодорожного транспорта
    студента 4-го курса заочного
    отделения Вологодского техникума
    Железнодорожного транспорта
    г.ВОЛОГДА 2001 год
    Конструкция ,принцип действия и схемы включения
    полевых транзисторов.
    В последнее время все большее распространение получают поле­вые (униполярные) транзисторы благодаря некоторым преимуществам по сравнению с биполярными. Полевые транзисторы имеют
    большие входные и выходные сопротивления и меньшую крутизну проходной характеристики. Полевым называют такой транзистор, в котором ток канала управляется полем, возникающим при
    приложении напряжения между затвором и истоком.
    Различают два типа полевых транзисторов: с управляющим р—п-переходом и с изолированным затвором. В свою очередь транзисторы с изолированным затвором делятся на МДП-трапзисторы,
    у которых затвор отделен от канала диэлектриком (металл—диэлектрик—полу­проводник), и МОП -транзисторы, у которых затвор отделен от канала тонким слоем окиси кремния. МДП-транзисторы
    подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимо­сти от знака носителей зарядов каналы могут быть р- или n-типа. Элек­трод, через который в канал
    инжектируются носители заряда, называют истоком, а электрод, служащий для носителей заряда из канала,— стоком. Электрод, через который сообщается управляющий потенциал, называется
    затвором. МДП-транзисторы имеют четыре вывода; чет­вертый вывод—подложка.
    Полевые транзисторы с управ­ляемым р-n-переходом
    состоят из кремниевой пластины, по концам которой имеются выво­ды, а в пластине методом диффузии образован канал — тончайший слой с дырочной
    проводимостью. По краям канала методом диффузии образованы более массивные участ­ки с дырочной проводимостью. Таким образом, на поверхности ка­нала с
    противоположных сторон формируются р-n-переходы, рас­положенные параллельно направ­лению тока. Каналом принято называть область в полупроводнике, в которой ток носителей заряда
    регулируется изменением ее площади поперечного сечения.
    При подключении к истоку положительного, а к стоку отрицатель­ного напряжений в канале возникает электрический ток, создаваемый движением «дырок» от истока к стоку. Движение
    носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполяр­ных транзисторах) является характерной особенностью полевого тран­зистора. С увеличением
    потенциала растет разность потенциалов между каналом и затвором, что вызывает увеличение толщины запорных сло­ев р-
    -переходов и сужение сечения канала. При достижении напря­жения насыщения
    нас
    наступает перекрытие канала и рост тока
    прекращается .
    При работе транзистора в режиме насыщения принцип переноса носителей зарядов в области смыкания запорных слоев подобен инжекции носителей из базы в запорный слой обратносмещенного
    коллектор­ного перехода у биполярных транзисторов. Поэтому при дальнейшем повышении
    до
    нас
    рост тока прекращается, что соответствует горизонтальному участку кривых на графике вольт-амперных харак­теристик транзистора. Вертикальные участки выходных
    вольт-ампер­ных характеристик соответствуют пробою. В полевых транзисторах с изолированным затвором (см. рис. 1, б, в) последний отделен от ка­нала тонким изолирующим слоем окиси
    кремния или другого диэлектри­ка. Подложкой прибора служит кремний толщиной около 0,2 мм.
    В зависимости от полярности напряжения, прикладываемого меж­ду затвором и истоком
    , транзистор может работать в режиме обеднения или обогащения канала основными носителями заряда. Отсюда каналы транзисторов с МОП-структурой по физиче­ским свойствам разделяются
    на встроенные (обедненный тип) и инду­цированные (обогащенный тип). При подаче на затвор положительного потенциала относительно истока (при канале р-типа) проводимость канала
    ухудшается, а при отрицательном потенциале на затворе улуч­шается. Поэтому, изменяя полярность и значение напряжения
    можно изменять проводимость канала, а следовательно, U ток стока Iс при
    си=
    const
    . При некотором положительном напряжении Uз
    транзистора с р-каналом или отрицательном
    зи для транзистора с
    -кана­лом ток в цепи стока прекращается. Если на затворе нет напряжения, то ток между стоком и истоком очень мал, и, наоборот, если подать на затвор транзистора с р-каналом
    отрицательное напряжение или положительное для транзистора с n-каналом по отношению к истоку, то ток между стоком и истоком будет расти.
    Полевые транзисторы, как и биполярные, имеют следующие схе­мы включения: схема с общим истоком и входом на затвор; схема с общим стоком и входом на затвор; схема с общим
    затвором и входом на исток. Основными достоинствами полевых транзисторов является большое входное сопротивление, почти полное разделение входного и выходного сигналов, малый уровень
    шумов, и образование рабочего тока только основными носителями зарядов.
    Маркировка полевых транзисторов аналогична тем обозначениям, которые применяются для биполярных транзисторов. Например, поле­вой транзистор КПЗОЗА расшифровывается так: К —
    кремниевый, П — полевой общего назначения, 3—малой мощности, 03—номер разработки, А — группа.
    Полевые транзисторы используют в тех случаях, где раньше при­менялись электронные лампы, например в усилителях постоянного тока, с высокоомным входом, в RС-генераторах
    синусоидальных коле­баний и пилообразных напряжений, в усилителях низкой частоты и в других устройствах. При использовании полевых транзисторов в электрических схемах необходимо
    учитывать рекомендации, которые имеются в справочной литературе и
    техническом паспорте. Хранить транзисторы с изолированным затвором следует с закороченными вы­водами, производить пайку с заземлением паяльника, места пайки и рук
    монтажника.
    АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ.
    НАЗНАЧЕНИЕ , ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СХЕМЫ.
    Общие сведения.
    В зависимости от функционального назначения интегральные схемы делятся на две основные группы: аналоговые и цифровые. Аналоговые ИС применяются в тех случаях, когда требует­ся
    преобразование или обработка сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В любой аналоговой (линейной) схеме содер­жится большое число разнообразных неповторяющихся
    функциональ­ных элементов, поэтому для их изготовления применяется гибридная технология. Современные линейные ИС содержат до 300 элементов в од­ном кристалле, в том числе маломощные
    п—р—п- и р—п—струк­туры, мощные п—р—п-транзисторы, МДП структуры, конденсаторы и резисторы больших номиналов, стабилитроны и другие элементы.
    В настоящее время линейные интегральные схемы выпускаются самого разнообразного функционального назначения: дифференциаль­ные усилители, усилители низких частот, узкополосные и
    широко­полосные усилители, усилители промежуточных частот, видеоусили­тели, стабилизаторы, усилители мощности, операционные усилители и т. д. Аналоговые ИС выпускаются в виде серий,
    выполняющих раз­личные функции, но имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместной работы.
    Поэтому эти схемы имеют одинаковые напряжения...

    Забрать файл

    Похожие материалы:


ПИШЕМ УНИКАЛЬНЫЕ РАБОТЫ
Заказывайте напрямую у исполнителя!


© 2006-2016 Все права защищены