Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия

    Дисциплина: Химия и физика
    Тип работы: Диплом
    Тема: Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия

    Введение

    За последние

    годы УФ-техника

    интенсивно

    развивается. Это обусловлено прежде

    всего

    появлением

    новых

    технических

    идей, позволяющих улучшить

    эксплуатационные

    характеристики

    УФ-систем, упростить их

    конструкцию

    существенно снизить стоимость.

    Новые идеи относятся

    первую

    очередь

    основным элементам приемо-передающей системы --

    фотоприемному

    устройству

    излучателю.

    Вслед за

    созданием

    твердотельных

    формирователей

    сигналов изображения в

    видимой

    ИК

    областях

    спектра

    многоэлементные приемники изображения,

    функционирующие

    на

    новых

    принципах, создаются и для УФ-диапазона спектра.

    Детектирование света в ультрафиолете (длина волны

    меньше

    400 нм)

    имеет

    широкий

    диапазон применений,

    как коммерческих,

    так и военных, особенно в тех областях, где требуется анализ УФ излучения при наличии мощного видимого или инфракрасного фона. В коммерческом секторе эти применения

    включают в себя:

    датчики пламени и нагрева, стерилизация в медицине,

    приборы для измерения биодоз УФ (мониторы загара),

    диагностика плазмы,

    мониторинг двигателей. Среди военных применений

    можно

    назвать:

    детектирование

    следов

    от

    двигателей ракет,

    наведение ракет,

    детектирование биологических и химических веществ (основные линии поглощения лежат в ультрафиолете), закрытая связь между искусственными спутниками (УФ лучи не

    проникают

    сквозь озоновый

    слой

    земной

    атмосферы)

    системы

    связи

    с подводными лодками.

    Большинство

    из

    этих

    применений

    требуют

    использования детекторов,

    не

    чувствительных

    солнечному

    нужно детектировать только

    ультрафиолет

    идеале

    иметь

    нулевую чувствительность для более длинных волн.

    Например, в полете ракета может

    иметь

    выхлопной

    хвост

    длиной

    милю.

    Если

    детектор, используемый

    для

    поиска

    наведения

    антиракеты-перехватчика, будет чувствителен в широкой области спектра, включая видимую и ИК, тогда ракета

    представляется

    целью

    длиной

    милю,

    что

    сделает невозможным

    наведение

    антиракеты.

    Однако,

    если

    детектор будет чувствителен

    только

    в ультрафиолете,

    он зафиксирует только самые горячие газы, вырывающиеся у хвоста ракеты, и наведение будет идеальным.

    Точно

    так

    же

    УФ детекторы могут быть использованы в качестве датчиков противопожарных систем

    для

    обнаружения

    наличия именно пламени (которое имеет УФ компоненту), а не просто нагретого объекта,

    который может быть связан,

    а может и не

    быть

    связан

    с пламенем.

    Подавить видимое излучение можно несколькими способами:

    первый – использовать светофильтры, что менее предпочтительно, так как они в большинстве своем нестабильны, и второй – создание такой конструкции прибора, которая была

    бы нечувствительна к видимой области спектра.

    Фоторезисторы, несмотря на быстрый прогресс фотоприемников с p-n переходом,

    остаются важным средством оптоэлектроники. Прежде всего это обусловлено большим коэффициентом усиления, определяемым соотношением числа электронов, прошедших во внешней цепи к числу

    возбужденных фотоэлектронов. Если омические контакты фоторезистора беспрепятственно пропускают электроны как внутрь полупроводника, так и из него, то коэффициент усиления определяется

    очевидным соотношением:

    где t

    пр – время пролета электрона через фоторезистор, l – длина активной области, U – приложенное напряжение. Это соотношение подтверждает преимущество полупроводников с высокими

    значениями подвижности и времени жизни носителей заряда. Коэффициент усиления фототока пропорционален приложенному напряжению и может достигать 10

    3 – 10

    С точки зрения применения фоторезисторов в оптоэлектронной технике удобнее использовать не коэффициент усиления, а сопротивления в темновом R

    T и засвеченном R

    СВ состояниях. Важными схемотехническими достоинствами фоторезисторов являются такие их свойства, как линейность вольт-амперной характеристики, отсутствие эффекта выпрямления и

    внутренних э.д.с., что важно для многих линейных, прецизионных, электрометрических схем.

    По мере роста прикладываемого напряжения, мощности облучения и тока через

    фотор...

    Забрать файл

    Похожие материалы:


ПИШЕМ УНИКАЛЬНЫЕ РАБОТЫ
Заказывайте напрямую у исполнителя!


© 2006-2016 Все права защищены